傲世ODYSSEY征途B580显卡评测：台积电N5制程工艺制造，拥有20个Xe核心

　　比如在能效比方面，与同为台积电5nm制程的RX 7000系列相比，锐炫 B580要明显优于RX 7600。而在光追方面，锐炫 B580的开启光追后的性能降幅与RTX 4060相差不大，远远优于AMD。

　　难以想象，有20多年独显经验的AMD，在光追效率上竟然远远不如Intel。

　　新一代锐炫B系列显卡的优秀表现也吸引了众多显卡厂商加入Intel阵营，傲世ONIX就是其中之一。

　　此前我们已经测试过傲世LUMI追日B580 OC显卡，今天的主角是ODYSSEY征途B580。

　　傲世ODYSSEY征途B580采用了Intel Xe2架构，基于台积电N5制程工艺制造，拥有20个Xe核心，或者说2560个FP32单元、2560个流处理器，同时有160个纹理单元、80个ROP单元，20个光追单元和160个XXM AI引擎，核心频率2670MHz，显存容量12GB、频率19GHz，TDP 190W。

　　和超频版的LUMI追日B580 OC不同，ODYSSEY征途B580的各项参数与公版相比没有任何差异。

　　但是在散热方面，ODYSSEY征途B580使用了与LUMI追日B580 OC相同的Dual-Force散热系统。

　　考虑到后者在功耗比公版更高的情况下，烤机温度比公版还低10度，因此ODYSSEY征途B580的温度以及噪音表现值得期待。