据了解,这篇论文名叫《碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯》,主导研究的是天津大学研究团队。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。石墨和石墨烯有关的材料广泛应用在电池电极材料、半导体器件、晶体管等方面。
石墨烯可以用来制作晶体管,由于石墨烯结构的高度稳定性,这种晶体管在接近单个原子的尺度上依然能稳定地工作。相比之下,以硅为材料的晶体管在10纳米以下,稳定性会变差。
根据论文摘要,马雷研究团队使用特殊熔炉在由有机薄膜覆盖的碳化硅晶圆上生长石墨烯时生产了大面积单晶类石墨烯材料。
这是一种在碳化硅晶面上生长的物质,结构外延石墨烯几乎一样但是没有较好的导电性。
测量表明,这种半导体石墨烯在室温具有硅的10倍以上的迁移率。
研究团队表示,该研究对未来石墨烯电子学真正走向实用化具有重大意义。不过距离石墨烯半导体完全落地,估计还要10到15年。

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