三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程开发进度出现延迟

　　这一延期意味着原计划于2025年下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）也面临不确定性。

　　三星在2024年年底向市场交付了首个测试芯片，但后续生产良率未达预期，导致开发时间延长，据市场人士透露，三星计划在未来六个月内将良率提升至约70%。

　　按照过往经验，每一代制程的开发周期通常为18个月左右，然而，自2022年12月三星开发出第五代10纳米级1b DRAM制程并宣布量产以来，关于1c DRAM的进展一直未有明确消息。

　　此次1c DRAM制程的延迟不仅影响了其核心产品DDR5内存的量产时间，也波及了高频宽存储器（HBM）的开发。

　　如果1c DRAM的量产推迟至2025年底，HBM的量产时间可能会在2025年之后，这与三星此前计划在2025年下半年量产HBM4的目标相悖，进而影响三星在HBM市场的竞争力。

　　韩国半导体产业人士表示，三星正在修改1c DRAM制程技术的部分设计，以尽快达成量产目标，然而能否在预定时间内实现量产，仍存在不确定性。