三星未达要求：年内供货NVIDIA悬了

　　报道指出，三星电子自2023年10月起便开始向英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品，但在一年多的时间里，认证流程并未取得明显进展。

　　消息人士透露，SK海力士在HBM3E技术上的领先地位，实际上已经为这一内存设定了性能参数标准，而三星电子的HBM3E在发热和功耗等关键性能参数上未能满足英伟达的严格要求。

　　SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则采用的是TC-NCF热压非导电薄膜技术。

　　尽管三星电子在全球HBM和NAND市场中曾占据领导地位，但目前看来，其在HBM3E领域的竞争中已落后于竞争对手。

　　不过三星电子仍计划在2025年第一季度开始向英伟达等大客户供应HBM3E，并期望通过下一代HBM4工艺获得竞争优势。