三星宣布下一代HBM3E高带宽内存：第四代10nm级工艺制造，单Die容量可达24Gb

　　三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。

　　单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比HBM3增加了一半。

　　等效频率可达9.8GHz，同样提升一半，领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。

　　对于NVIDIA H100这样的计算卡，六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。

　　能效方面，三星宣称可以提升10％，但显然会被25％的频率提升所抵消掉。

　　考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产，而出货可能要到明年底了。

　　正因为如此，NVIDIA下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批赶不上了。